Sperrschichttemperatur

Sperrschicht|temperatur,

 

Halbleiterelektronik: die Temperatur in oder an Sperrschichten von Halbleiterbauelementen, d. h. deren thermisch am stärksten belasteten Zonen. Sie ist gleich der Summe der Umgebungstemperatur und des Produkts aus Verlustleistung und Wärmewiderstand des Übergangs Sperrschicht/Umgebung und darf gewisse Werte nicht übersteigen: bei Germanium etwa 90 ºC, bei Silicium etwa 200 ºC, bei Galliumarsenid etwa 400 ºC. Im Interesse der Zuverlässigkeit ist es zweckmäßig, die elektrische Belastung der Bauelemente gering zu halten und für eine gute Wärmeabfuhr zu sorgen: Bei Dioden verdoppelt sich die Ausfallrate etwa durch eine Temperaturerhöhung um 10 ºC. - Die Bezeichnung Sperrschichttemperatur wird mit einer entsprechenden Bedeutungsänderung auch auf Halbleiterbauelemente ohne stromdurchflossene Übergänge (z. B. Feldeffekttransistor) angewendet.